據(jù)日本樹脂業(yè)機(jī)構(gòu)消息，日本研究開發(fā)高等技術(shù)的技術(shù)研究協(xié)會(huì)日前發(fā)表了"非常高密度電子SI（system integration）技術(shù)"的成果，并稱采用玻璃環(huán)氧系材料進(jìn)行了試驗(yàn)�！　�
    該協(xié)會(huì)說(shuō)，ASET主要在電子領(lǐng)域開發(fā)2010年以后所需要的基礎(chǔ)技術(shù)。非常高密度電子SI由3種技術(shù)構(gòu)成：將半導(dǎo)體電子元件進(jìn)行非常高密度3維安裝的技術(shù)，光電復(fù)合安裝技術(shù)，較佳布線結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)關(guān)聯(lián)技術(shù)。其中光電復(fù)合安裝技術(shù)的研究目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)超過(guò)100Gb/s的高速光傳輸路徑，其中引人注目的是，以低成本為中心推進(jìn)的光導(dǎo)波路薄膜轉(zhuǎn)印技術(shù)。　　
    據(jù)說(shuō)過(guò)去在光電復(fù)合電路板將性能要求不同的元件安裝在同一塊電路板上，導(dǎo)致材料及工藝成本較高。而在轉(zhuǎn)印方式的技術(shù)中，分別在不同的制造工序上形成光導(dǎo)波路的薄膜與電路板，較后再將薄膜轉(zhuǎn)印到電路板上。因此光導(dǎo)波路的薄膜不再需要選用耐焊錫爐等高溫環(huán)境的材料。可以使用PMM以及PMMA，因此簡(jiǎn)化制造工序。　　
    實(shí)驗(yàn)中使用的電路板采用了玻璃環(huán)氧系材料，在其上面加工形成BuildUp層。然后再將膜厚50μm的光導(dǎo)波路薄膜（單模形式）"轉(zhuǎn)印"到該電路板上。由于電路板上加工有焊錫電阻（Solder Resistor）從而形成了15-17μm左右的凹凸?fàn)畋砻妫ㄟ^(guò)使用粘接劑可以清理凹凸，使光導(dǎo)波路薄膜平坦層疊。其結(jié)果，在光導(dǎo)波路薄膜上面只有納米級(jí)的粗糙度，因此估計(jì)在其上面還可以很容易地重疊數(shù)層的光導(dǎo)波路薄膜。